CMOS ICとMR膜を一体化したモノリシックセンサとして開発しました。
制御回路とセンサ素子がモノリシック化しておりますので小型化・信頼性・バラツキ等の特性は理想的な
形態になっています。センサと処理回路の一体化は単に上記の特徴にとまらず、センサ本来のS/N比
向上に多大な効力を発揮します
MR膜はホール素子に比較して面積依存性が少ないために小型化が可能です。
2.0x2.1x0.6(SON-4)のパッケージングした世界最小クラスのMRスイッチを実現して広く携帯電話などのモバイル製品に使用されています。
MR センサはフリップ式・スライド式携帯電話の電源スイッチ(LCDスクリーン電源スイッチ)に特に適用
可能で、設計上の小型化・高性能化・低コスト化の要求を全面的に解決できます。

 
 
   
 
 
   
   
 
動作電圧 Typ. 1.8V (1.6V min. - 3.6V max.)
消費電流 Typ. 1.6μA (3.0μA max.)
出力反転磁束密度(H→L) MOPS Typ 1.5mT MOPN Typ -1.5mT
出力反転磁束密度(L→H) MRPS Typ 1.2mT MRPN Typ -1.2mT
   
 
型名
外形寸法図
外形寸法
納入仕様書
MRX1518HTA
SOT-23
2.9×2.8×1.1mm
MRX1518HNA
SON-4
2.1×2.0×0.6mm